光电探测器
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    美国Cal Sensors是世界著名的红外探测仪器制造商,公司致力于红外发光源、红外探测器及线列、各种红外系统等重要元器件的研发和制造。

    产品包括:
  • 1-3 um PbS / 3-5 um PbSe探测器
  • 1-3 um PbS / 3-5 um PbSe的256元探测器线列
  • 脉冲/稳态的红外发光源

     Cal Sensor制造的PbS和PbSe探测器以其多年的高需求量,证明了自己在该领域内的领导地位。探测器运用了良好的安置方式、自动化的过程控制,以其无可比拟的高灵敏度,稳定的质量和稳定性,成为您的最佳选择。

    主要应用包括:湿度分析仪 、工业烟道气监控仪、火焰传感器/燃烧控制、医学分析、蛋白质成分分析、 分光光度计、 光纤通信 、汽车尾气分析仪、无接触温度测量。

 

 
 
    VIGO system S.A.公司是世界著名的高性能非致冷(室温)红外长波光电探测器及其配件的设计者和生产商。VIGO的核心产品是工作在光谱范围在0.5-12微米的性能高,响应速度快, 室温红外探测器。该类高性能红外探测器广泛应用于工业、科学、医药和军事等各个领域。
主要产品:
  • 非致冷(室温)红外 3-12 umMOCVD生长的HgCdTEZn光电探测器
  • 高性能致冷红外 3-12 umMOCVD生长的HgCdTEZn光电探测器
  • 高性能前置放大器和热沉模块。

  应用范围:

-脉冲的,调制和连波激光探测和监测;   -气体分析;
-激光束诊断;                         -火,火焰及人体探测;
-激光度量;                           -跟踪系统;
-激光-物质交互研究;                  -定位系统;
-激光治疗警报;                       -热搜索向导;
-激光技术在过程控制中的应用;         -远程传感;
-时间分辨光谱;                       -军用设备;
-傅立叶光谱学;                       -激光雷达,范围搜索及通讯;
-热成像和热扫描;                     -调制在2-12um放射下的高低频率信号探测;
-测高温学;                           -外差检波;
-无破坏性的材料探测;                 -光谱学;

 

 
 
    作为Goodrich公司的一员,Sensor Unlimited是InGaAs近红外探测器以及红外短波段的成像以及探测的世界的领导者……
  • InGaAs APD探测器
  • InGaAs APD探测器线列 (256/512/1024 元)
  • 线形的数码红外摄像机
  • 小型的红外摄像机
  • 超小型InGaAs的KT红外摄像机
  • 红外短波段的数码摄像机
其产品主要应用于:隐蔽监视、导弹跟踪、工业生产监测、激光束描述测试、科学仪器和光通信。

 

 
    
 
SVT Associates, Inc. 是著名的氮化钾、紫外、远紫外半导体探测器制造商,公司致力于半导体材料的研究与制造,SVTA 的产品还包括: MBE 生长系统和超高真空薄膜沉积设备以及设备附件包括源法兰、平板/操作杆、分子束生长监测器、腔体内实时监测仪、臭氧气体传输系统、RF等离子体源、MBE源装置……
  • 波长小于280nm远紫外半导体探测器
  • 波长在280nm-320nm紫外半导体探测器
  • 波长在320nm-360nm紫外半导体探测器
 
 
      MICRO-HYBRID公司成立于1964年,是著名的热电堆探测器的生产厂家,其依靠自身的薄膜技术在硅衬底上生产的热电堆红外探测器具有高灵敏度、高环境温度、没有冷却和电压要求,广泛应用于无接触温度测量、气体分析、红外辐射探测等各方面,其主要产品有:
  • 红外热电堆探测器
  • 多通道热电堆探测器(2,4)
  • 线列热电堆探测器(1*64)
  • 线列热电堆探测模块(1*64)
 

InfraRed Associates

          We do have HgCdTe and InSb detectors offered in a variety of cooling options, including: Liquid Nitrogen, Stirling closed cycle and Thermoelectric coolers.
 

  OSI

       We do have InGaAs photo-detectors with sizes of 1mm, 1.5mm and 3mm in diameter, and different shunt resistance values of 5, 10, 20, 30 and 40 MO, exhibiting excellent responsibility from 1100nm to 1800nm, allowing high sensitivity to weak signals.  They are typically packaged inside TO-46 or TO-5.   These large active area devices are ideal for use in infrared instrumentation and monitoring applications.
 

其他InGaAs探测器

       We utilizes Silicon and InGaAs materials for their photodiodes to provide detection from 220 nm to 1700nm. These devices are offered in a variety of sizes to meet customer sensitivity and speed requirements. Additional pre-amplifier and filter options are available to tailor the device to meet specific requirements.
 
 
 
 
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