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2-13um高性能HgCdTeZn红外探测器(2级TEC制冷)

PVMI-2TE制冷HgCdTe红外探测器

PVMI-2TE制冷HgCdTe红外探测器

     Datasheet

 

  

特点: 高性能的长波长范围,无须 LN(液氮)制冷;快速响应;无闪动噪声;使用方便;动态范围宽;小巧,耐用可靠;低成本;及时交货;可按客户要求设计。

 
描述:PVMI-2TE-n (n 表示最佳特性波长,单位是微米)系列光电探测器是两级的 TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的 GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或者过半球透镜(可选)进行光照入。这些器件可以优化为更长波长,更大面积的更高性能器件。他们的高性能和稳定性可以通过最近开发的间隙(Hg,Cd,Zn)Te 半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带 BaF2 视窗,并采用改进的 TO-8 封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。
 

 

特性

@ 20ºC

最佳特性波长λop

探测率:

响应度

响应时间τ

电阻

光学面积(长×宽)

工作温度

视场, F#

at λpeak

at λop

单位

μm

cmHz1/2/W

A/W

ns

Ω

mm x mm

K

deg

PVMI-2TE-10.6

10.6

2·109

1·109

7

3

30-200

0.1×0.10.25×0.250.5×0.51×12×2

220-240

351.65

 

      配套集成前置放大器          10K-1G前置放大器               配套TEC控制器           配套电源控制器
 
      TO-8封装                             TO-39封装                             BNC封装
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